23 июня 1963 г. приказом председателя Госкомитета по электронной технике А. И. Шокина в Центре микроэлектроники был образован НИИ-336, позднее Научно-исследовательский институт точной технологии (НИИТТ). Как и весь Центр микроэлектроники — НИИТТ предназначен был стать отраслевым инновационным центром. Его основными задачами были создания принципиально новых тогда изделий — гибридных интегральных микросхем (ИС), разработка и отладка на опытном производстве технологии их производства и передача для массового тиражирования на серийные заводы страны. В соответствии с этими задачами приказом № 87 Министра от апреля 1964 года с 1 мая при НИИТТ был образован опытный завод «Ангстрем», работавший первые годы, как и НИИТТ, на временных площадях.

Владимир Сергеевич Сергеев, основатель НИИТТ и завода «Ангстрем»

Основателями НИИТТ и опытного завода «Ангстрем» были Катман Александр Константинович — главный инженер НИИТТ, Сергеев Владимир Сергеевич — директор НИИТТ и Папава Савельян Давидович — директор завода.

Как вспоминает Владимир Сергеевич, первоначально под институт была выделена одна комната, где кроме стола и стула не было даже листка бумаги. А к концу 1963 года на предприятии работало уже более 100 сотрудников. В 1963 г. в НИИМП, образованном годом ранее НИИТТ, был разработан микроминиатюрный радиоприемник «Микро».

Этот радиоприемник, выполненный по тонкопленочной технологии, был первым в стране изделием микроэлектроники, поступившим в серийное производство, организованное в 1964 г. на заводе «Ангстрем», для которого это была первая серийная продукция. И это было первое изделие микроэлектроники, экспортируемое Минэлектронпромом в Европу.

Вот как вспоминает о нем первый директор НИИМП Букреев  И. Н.: «Первая модель — «Микро» — был приемником прямого усиления, а второй «Эра», чуть больше по размерам, уже супергетеродинный. У него была очень острая настройка и, так как в СССР радиостанций было тогда на средних и длинных волнах совсем мало, это казалось недостатком. Но когда я в 1964 году привез этот приемник в США на съезд радиоинженеров, он произвел там мировую сенсацию! Статьи в газетах, фотографии: как СССР смог нас обогнать? В Нью-Йорке, где было около 30 местных радиостанций, острая настройка нашего приемника пришлась в самый раз. «Микро» продавали потом за валюту также во Франции, Англии, и везде там за ним в 60-е годы очереди стояли. В общем, «Микро» стал первой сенсацией для руководства. Хрущев брал их с собой за границу как сувениры, дарил Насеру, королеве Елизавете…».

Первое в СССР изделие микроэлектроники – радиоприемник «Микро»

Завод «Ангстрем» выпустил их около 80 тысяч штук, после чего передал заводу Минрадиопрома в Минске. До середины семидесятых годов микроприемник «Микро» можно было купить в магазинах СССР и Франции.

В 1964 году при отсутствии технических материалов, специальной литературы, имея в качестве образца лишь фотографию общего вида интегральной схемы фирмы IBM, новый коллектив разработал и освоил в производстве первую в стране серию ИС «Тропа». ИС были выполнены по гибридной толстопленочной технологии с уровнем интеграции 20-50 элементов. ИС «Тропа» соответствовали современному мировому уровню, определяемому тогда несколькими фирмами в США, в других странах микроэлектроника только зарождалась. Первым серьезным испытанием серии было создание на основе Тропы аппаратуры управления спутником, облетевшим вокруг Луны.

Первые серии ИС в СССР, «Тропа», толстопленочная (верхний ряд); «Посол», тонкопленочная, (нижний ряд). (Слева и в центре – в двукратном размере, справа – в натуральную величину).

Впоследствии ИС «Тропа» широко применялась в многочисленных электронных устройствах и системах, в частности в управлении ряда космических аппаратов, совершивших экспедиции к планетам Солнечной системы. Последовавшие за Тропой изделия серии ИС «Трапеция», «Терек», «Посол», «Тактика» и др., разработанные без наличия зарубежных аналогов, также соответствовали мировому уровню. В 1964-65 годах в НИИТТ была разработана и отлажена на опытном заводе «Ангстрем» базовая технология изготовления толстопленочных ИС. 

Разработка включала формирование соответствующих заданий НИИТМ, НИИМЭ и другим предприятиям отрасли на создание новых оборудования и материалов с последующей их отладкой в технологическом процессе.

Эта базовая технология была внедрена на многих серийных заводах отрасли. В последующем НИИТТ и завод «Ангстрем» создали немало базовых технологий промышленного производства гибридных и полупроводниковых ИС, а также корпусов для микросхем, внедренных на серийных заводах отрасли.


Сборочное производство.

В 1965 году были разработаны основные технологические процессы, позволившие в 1966 году впервые в стране получить МОП-транзистор (следует отметить, что словосочетание «впервые в стране» применимо ко многим процессам и изделиям, разработанным в институте и освоенными заводом «Ангстрем»). Тогда же были начаты работы по созданию КМОП приборов, а в 1967 г. была созданы первые в стране КМОП ИС. Показанные в 1968 году на выставке в Париже изделия предприятия вызвали удивление у зарубежных специалистов, твердо уверенных, что ничего подобного в СССР быть не могло.

Создание научно-производственного комплекса «НИИТТ и завод „Ангстрем“» завершилось в 1968 году. К этому времени заводом было уже выпущено 600 тысяч интегральных схем, а технологии их производства переданы более, чем на 100 предприятий отрасли и дружественных стран Восточной Европы. В этот период институтом были выполнены основополагающие исследования в области пленочной технологии, материалов и технологических процессов, разработаны и освоены в производстве бескорпусные транзисторы, диодные матрицы, полупроводниковые интегральные схемы, расширены работы по созданию схем на МОП-структурах, разработана технология и освоен выпуск ИС с жесткими выводами, развивались работы по машинному проектированию.

Продолжить чтение