Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение
AnD4N70 700 4 3,2 Low charge
AnU4N65 650 4 2,7 Low charge
AnD4N65 650 4 2,7 Low charge
AnU4N60 600 4 1,8 Low charge
AnD4N60 600 4 1,8 Low charge
AnU2N70 700 2 7 Low charge
AnD2N70 700 2 7 Low charge
AnU2N65 650 2 5,5 Low charge
AnD2N65 650 2 5,5 Low charge
AnU2N60 600 2 4,4 Low charge
AnD2N60 600 2 4,4 Low charge
AnU1N70 700 1 13 Low charge
AnD1N70 700 1 13 Low charge
AnU1N65 650 1 11 Low charge
AnD1N65 650 1 11 Low charge
AnU1N60 600 1 9,5 Low charge
AnD1N60 600 1 9,5 Low charge
AnU30N10L 100 30 0.05 Trench
AnD30N10L 100 30 0.05 Trench
AnU10N10L 100 10 0.1 Trench
AnD10N10L 100 10 0.1 Trench
AnP46N03L 30 46 0.02 Planar
AnP46N03 30 46 0.02 Planar
AnP26N10L 100 26 0.05 Planar
AnP26N10 100 26 0.05 Planar

Страницы