Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение
AnB46N03L 30 46 0.02 Planar
AnB46N03 30 46 0.02 Planar
AnB26N10L 100 26 0.05 Planar
AnB26N10 100 26 0.05 Planar
AnP12N20L 200 12 0.2 Planar
AnP12N20 200 12 0.2 Planar
AnB12N20L 200 12 0.2 Planar
AnB12N20 200 12 0.2 Planar
AnP36N10 100 36 0.04 Planar
AnB36N10 100 36 0.04 Planar
AnP46N10 100 46 0.033 Planar
AnB46N10 100 46 0.033 Planar
AnU12N10L 100 12 0.1 Planar
AnD12N10L 100 12 0.1 Planar
AnB75N03 30 75 0.0026 Planar
AnB50N06 60 50 0.0083 Planar
AnB42N10 100 42 0.014 Planar
AnR7N120 1200 7 1,7 Planar
AnR11N80 800 11 0.75 Planar
AnR16N60 600 15,5 0.4 Planar
AnR22N50 500 22 0.28 Planar
AnR24N40 400 24 0.23 Planar
AnR40N20 200 40 0.065 Planar
AnU15N07L 70 15 0.09 Planar
AnD15N07L 70 15 0.09 Planar

Страницы