Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение
AnP45N06 60 45 0.024 Planar
AnB45N06 60 45 0.024 Planar
AnR37N03 30 37 0.009 Planar
AnR55N06 60 55 0.01 Planar
AnR27N20 200 27 0.08 Planar
AnR35N20 200 35 0.055 Planar
AnU14N10L 100 14 0.1 Planar
AnU14N10 100 14 0.1 Planar
AnD14N10L 100 14 0.1 Planar
AnD14N10 100 14 0.1 Planar
AnR9N65 650 8,5 0.93 Planar
AnU6N40 400 6 0.7 Low charge
AnD6N40 400 6 0.7 Low charge
AnU4N25 250 4 0.45 Planar
AnD4N25 250 4 0.45 Planar
AnR40N08L 80 40 0.009 Planar
AnR20N12L 120 20 0.018 Planar
AnR10N20L 200 10 0.05 Planar
AnU28N10 100 28 0.034 Planar
AnD28N10 100 28 0.034 Planar
AnU30N06 60 30 0.015 Planar
AnD30N06 60 30 0.015 Planar
AnP91N03 30 91 0.005 Trench
AnB91N03 30 91 0.005 Trench
AnU50N03 30 50 0.01 Trench

Страницы