Дискретные MOSFET(N-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(N-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Vds(max)
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение
AnP2N150 1500 2 7 Low charge
AnB2N150 1500 2 7 Low charge
AnU1N150 1500 1 16 Low charge
AnD1N150 1500 1 16 Low charge
AnP10N80 800 10 0.9
AnP8N80 800 8 1,55
AnP6N80 800 5,5 2,7
AnD8N65 650 8 0.62
AnP18N20 200 18 0.15
AnR200N10 100 200 6

Страницы