Дискретные MOSFET(P-channel)
Ангстрем

Дискретные MOSFET(P-channel)

Вы здесь

Готовность производства
Тип технологии
Корпус
Id(max)
RDS(on)
Название Vds(max), В Id(max), А RDS(on), Ом Исполнение Готовность производства Размер кристалла, мм
AnP32P03L -30 -32 0.04 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnP32P03 -30 -32 0.04 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnB32P03L -30 -32 0.04 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnB32P03 -30 -32 0.04 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnR26P10L -100 -26 0.07 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnR26P10 -100 -26 0.07 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnR17P20L -200 -17 0.17 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnR17P20 -200 -17 0.17 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnU6P10L -100 -6 0.25 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnU6P10 -100 -6 0.25 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnD6P10L -100 -6 0.25 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnD6P10 -100 -6 0.25 Planar Опытные образцы, серийное производство II-III кв. 2017
AnP53P03 -30 53 0.02 Trench Новая разработка
AnB53P03 -30 53 0.02 Trench Новая разработка
AnU29P03 -30 29 0.03 Trench Новая разработка
AnD29P03 -30 29 0.03 Trench Новая разработка
AnP46P06 -60 46 0.02 Trench Новая разработка
AnB46P06 -60 46 0.02 Trench Новая разработка
AnU25P06 -60 25 0.04 Trench Новая разработка
AnD25P06 -60 25 0.04 Trench Новая разработка
AnP29P10 -100 29 0.05 Trench Новая разработка
AnB29P10 -100 29 0.05 Trench Новая разработка
AnU15P10 -100 15 0.11 Trench Новая разработка
AnD15P10 -100 15 0.11 Trench Новая разработка
AnU14P06 -60 14 0.13 Low charge Новая разработка

Страницы