Для получения доступа к подробной документации по изделиям категории ВП и ОСМ необходимо на адрес: ekb@angstrem.ru дополнительно направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия за подписью руководителя о предоставлении доступа к сайту с указанием:

В течение трёх рабочих дней Вам на указанную электронную почту будет направлен логин и пароль.

Благодарим за Ваше понимание!

Закрыть
Заказать звонок
Логин
Пароль
Зарегистрироваться

После регистрации на сайте Вам будет доступно отслеживание состояния заказов, личный кабинет и другие новые возможности.

Регистрация есть двух типов:

1. Самостоятельная регистрация. После неё посетитель может видеть всю номенклатуру и краткие описания продукции, а также скачивать документы на изделия категории ОТК без ограничений. Просим указывать реальные контактные данные. При выявлении фейковой регистрация доступ будет аннулирован.

2. Верифицированная регистрация. Для получения доступа к подробной документации по изделиям категории ВП и ОСМ необходимо на адрес: ekb@angstrem.ru дополнительно направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия за подписью руководителя о предоставлении доступа к сайту с указанием:

  • ФИО ответственного лица,
  • Его должность
  • Его общий служебный телефон и прямой (личный) телефон
  • Адрес электронной почты.

В течение трёх рабочих дней Вам на указанную электронную почту будет направлен логин и пароль.

Благодарим за Ваше понимание!

EN
Логин
Пароль
Зарегистрироваться

После регистрации на сайте Вам будет доступно отслеживание состояния заказов, личный кабинет и другие новые возможности.

Регистрация есть двух типов:

1. Самостоятельная регистрация. После неё посетитель может видеть всю номенклатуру и краткие описания продукции, а также скачивать документы на изделия категории ОТК без ограничений. Просим указывать реальные контактные данные. При выявлении фейковой регистрация доступ будет аннулирован.

2. Верифицированная регистрация. Для получения доступа к подробной документации по изделиям категории ВП и ОСМ необходимо на адрес: ekb@angstrem.ru дополнительно направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия за подписью руководителя о предоставлении доступа к сайту с указанием:

  • ФИО ответственного лица,
  • Его должность
  • Его общий служебный телефон и прямой (личный) телефон
  • Адрес электронной почты.

В течение трёх рабочих дней Вам на указанную электронную почту будет направлен логин и пароль.

Благодарим за Ваше понимание!

О компании

О компании лучше всего говорят ее поступки.

СССР

«Ангстрем» был создан в июне 1963 года как опытный завод в связке с НИИ Точной Технологии.  На «Ангстреме» разрабатывались новые технологии производства микроэлектроники, а также производились опытные партии новых микросхем. Отлаженная технология производства затем передавалась на другие предприятия СССР и стран Восточной Европы.

«Ангстрем» был первопроходцем по многим направлениям. Впервые в СССР были созданы:

  • Гибридная технология производства микросхем в 1965 г.

  • Микропроцессор в 1974 г.

  • 4-килобитовые схемы динамической памяти в 1975 г.

  • Однокристальные мини-ЭВМ в 1979 г.

  • Полузаказные схемы на базовых матричных кристаллах (БМК) в 1979 г.

  • Налажено массовое производство ДОЗУ 64 К в 1983 г. и 256 К в 1986 г.,

  • 32-разрядный микропроцессор в 1988 г.

  • СБИС памяти 1 М в 1989 г.

«Ангстрем» серийно выпускал персональные компьютеры, микрокалькуляторы, электронные часы и игрушки миллионами штук в месяц. Каждому ребенку в СССР была известна игра «Ну, погоди!», каждый инженер использовал в работе вычислительную технику и микрокалькуляторы «Ангстрема».

Более 30 сотрудников предприятия стали лауреатами государственных премий, многие награждены орденами и медалями.

Российская Федерация

В промышленности Российской Федерации «Ангстрем» также играет заметную роль.

  • 1995-1998 г. – доля «Ангстрема» в общем объеме экспорта отечественной электроники составила 20%. Микросхемы калькуляторов и электронных часов заняли до 80% и 60% мирового рынка соответственно.

  • 1996 г. – Создана первая российская банковская карта.

  • 1999 г. – Запущено производство чипов для смарт-карт

  • 2007 г. – Выпущен 500.000.000-й. кристалл для мобильных телефонов, и 6.000.000.000-й. чип.

  • 2010 – Впервые в России получены высоковольтные IGBT транзисторы и FRD диоды с напряжением 2000 В.

  • 2014 – Налажен выпуск полностью отечественных IGBT транзисторов с напряжением 1700-6500 В и высоковольтных IGBT-модулей с напряжением 600-1700 В и током 50-400 А