Для получения доступа к подробной документации по изделиям категории ВП и ОСМ необходимо на адрес: ekb@angstrem.ru дополнительно направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия за подписью руководителя о предоставлении доступа к сайту с указанием:

В течение трёх рабочих дней Вам на указанную электронную почту будет направлен логин и пароль.

Благодарим за Ваше понимание!

Закрыть
Заказать звонок
Логин
Пароль
Зарегистрироваться

После регистрации на сайте Вам будет доступно отслеживание состояния заказов, личный кабинет и другие новые возможности.

Регистрация есть двух типов:

1. Самостоятельная регистрация. После неё посетитель может видеть всю номенклатуру и краткие описания продукции, а также скачивать документы на изделия категории ОТК без ограничений. Просим указывать реальные контактные данные. При выявлении фейковой регистрация доступ будет аннулирован.

2. Верифицированная регистрация. Для получения доступа к подробной документации по изделиям категории ВП и ОСМ необходимо на адрес: ekb@angstrem.ru дополнительно направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия за подписью руководителя о предоставлении доступа к сайту с указанием:

  • ФИО ответственного лица,
  • Его должность
  • Его общий служебный телефон и прямой (личный) телефон
  • Адрес электронной почты.

В течение трёх рабочих дней Вам на указанную электронную почту будет направлен логин и пароль.

Благодарим за Ваше понимание!

EN
Логин
Пароль
Зарегистрироваться

После регистрации на сайте Вам будет доступно отслеживание состояния заказов, личный кабинет и другие новые возможности.

Регистрация есть двух типов:

1. Самостоятельная регистрация. После неё посетитель может видеть всю номенклатуру и краткие описания продукции, а также скачивать документы на изделия категории ОТК без ограничений. Просим указывать реальные контактные данные. При выявлении фейковой регистрация доступ будет аннулирован.

2. Верифицированная регистрация. Для получения доступа к подробной документации по изделиям категории ВП и ОСМ необходимо на адрес: ekb@angstrem.ru дополнительно направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия за подписью руководителя о предоставлении доступа к сайту с указанием:

  • ФИО ответственного лица,
  • Его должность
  • Его общий служебный телефон и прямой (личный) телефон
  • Адрес электронной почты.

В течение трёх рабочих дней Вам на указанную электронную почту будет направлен логин и пароль.

Благодарим за Ваше понимание!

Асинхронное статическое ОЗУ 1620РУ12У

2021-02-12

АО «Ангстрем» разработало асинхронное статическое ОЗУ 1620РУ12У емкостью 256 Кбит с параллельным интерфейсом обращения. Ключевые особенности микросхемы памяти – высокая скорость работы, высокая стойкость к накопленной дозе радиации, воздействию тяжелых заряженных частиц и одиночных импульсов напряжения, широкий диапазон рабочих температур от -60С до +85С, способность выдерживать нагревание до 150С.

Введение

Статическая память широко используется в работе вычислительной техники и сетевом оборудовании, где необходимо высокое быстродействие чтения и записи информации. Асинхронная статическая память не привязана к тактовой частоте и обеспечивает наиболее высокое быстродействие доступа к информации.

Автономные необслуживаемые системы, работающие в условиях Космоса, Арктики, в труднодоступных блоках, где затруднен отвод тепла, предъявляют высокие требования к стойкости и надежности SRAM.  Наиболее более ярким свежим примером такой системы является перспективный космический буксир c ядерной энергодвигательной установкой, разрабатываемый КБ Арсенал.  Космическое излучение, ядерный реактор, тяжелые заряженные частицы будут годами воздействовать на системы управления корабля. Электроника должна выдерживать большие дозы накопленной радиации и высокие температуры в течение десятилетий.

На Земле с развитием атомной энергетики, робототехники, автоматизации производства, освоением Арктики также будут востребованы надежные модули оперативной памяти высокой информационной емкости.

ОЗУ 1620РУ12У

Обладая полным циклом разработки и производства микросхем, Ангстрем усовершенствовал технологию «кремний-на-сапфире», что  позволило обеспечить наиболее высокую стойкость к долговременному воздействию космического излучения, ТЗЧ и радиации.

Применение полиимидного носителя дало возможность  плотной многоуровневой компоновки, что позволило создавать компактные модули памяти высокой информационной емкости.

Импортные функциональные аналоги IDT71256SA и K6X0808C1D имеют близкие характеристики, но весьма существенно уступают в радиационной стойкости.

Структура кристалла микросхемы

Матрица памяти микросхемы разделена на 8 независимых банков памяти, позволяющих уменьшить время выборки разрешения и адреса до 70 нс, а также снизить помехи по внутренним шинам «земли» и питания. Структура кристалла СОЗУ (Рисунок 1.) содержит матрицы памяти, дешифраторы строк и столбцов, адресные формирователи строк и столбцов, схему управления, блок предзаряда, 8-ми разрядное устройство ввода-вывода информации.

Рисунок 1. Структура кристалла микросхемы 1620РУ12У

Технические характеристики

Микросхема СОЗУ 1620РУ12У является асинхронной и имеет параллельный интерфейс. Диаграмма работы микросхемы приведена на рисунке 2.

Рисунок 2. Диаграмма работы микросхемы 1620РУ12У

Основные технические характеристики кристалла 1620РУ12У:

  • информационная ёмкость – 256К (32Кх8),
  • напряжение питания – 4,5 – 5,5 В,
  • время выборки разрешения – не более 70 нс;
  • время выборки адреса – не более 70 нс;
  • время выборки разрешения выхода – не более 35 нс;
  • входное напряжение низкого уровня – не более 0,35 В,
  • входное напряжение высокого уровня – не менее (UCC–0,35) В,
  • выходной ток низкого и высокого уровня – не более 0,7 мА,
  • ёмкость нагрузки – не более 30 пФ,
Допустимые условия эксплуатации
  • Микросхемы допускают воздействие высокого уровня радиации в течение длительного времени с сохранением записанной информации.
  • Стойкость к тяжелым заряженным частицам (ТЗЧ) 90 МэВ
  • Стойкость к одиночным импульсом напряжения (ОИН) амплитудой до 100 В длительностью до 1 мс.
  • Рабочая температура: -60 °С – +85 °С
  • Предельная температура среды: +150 °С
Конструктивное исполнение

АО «Ангстрем» имеет возможность производить микросхемы памяти в нескольких вариантах корпусирования:

  • Металлокерамический корпус Н18.64-3В с золотым покрытием емкостью 256 Кбит;
  • Металлокерамический корпус Н18.64-3В с золотым покрытием с установкой до 4-х кристаллов общей емкостью 1 Мбит;
  • Бескорпуская микросхема 256 Кбит на полиимидном носителе, позволяющая осуществлять многоуровневый монтаж кристаллов с высокой плотностью компоновки;
  • Компактные блоки памяти 4 Мб (30х30х3 мм) и 16 Мб (60х60х3 мм).

1620РУ12У без корпуса на полиимидном носителе, позволяет существенно снизить стоимость и массо-габаритные характеристики блоков памяти. Электрическая схема микросборки СОЗУ 1М из четырёх кристаллов СОЗУ 256К приведена на Рисунке 3.

Рисунок 3. Электрическая схема микросборки СОЗУ 1М из четырёх кристаллов СОЗУ 256К.

Сборка 4-х микросхем 1620РУ12У в металлокерамических корпусах Н18.64-3В с золотым покрытием общей емкостью до 1М приведена на рисунке 4 В

Рисунок 4. А) Внешний вид микросхемы 1620РУ12У, Б) Кристалл 256 К, В) 4 кристалла 256 К на полиимидном носителе

Заключение

Ангстрем выпускает более 30 серий микросхем памяти различного назначения и готов расширять спектр выпускаемой продукции в соответствии с потребностями российской промышленности. Высоконадежная отечественная электронная компонентная база позволит обеспечить работу спутников связи, навигационных спутников не только на земной орбите, но и в далеком Космосе.

Все ракетоносители и множество космических аппаратов несут в себе продукцию Ангстрема. Одной из первых разработок Ангстрема была микросхема памяти «Тропа», которая использовались в блоках памяти КА Зонд-7 при облете Луны и возвращении спускаемого аппарата на Землю.

Недорогие решения также вполне возможны при выпуске микросхем большими сериями и  использовании более дешевых полиимидных и пластиковых корпусов.

Кечко Игорь Евгеньевич

Начальник отдела разработки цифровых схем АО «Ангстрем».

kechko@angstrem.ru

Клейн Станислав Викторович

Начальник отдела маркетинга и корпоративных коммуникаций.

klein@angstrem.ru