Для получения подробной технической и эксплуатационной документации по изделиям категории ВП и ОСМ перейдите в раздел меню «Поддержка» пункт 4. Благодарим за понимание!

Закрыть
Заказать звонок
Логин
Пароль
Зарегистрироваться

После регистрации на сайте Вам будет доступно отслеживание состояния заказов, личный кабинет и другие новые возможности.

Регистрация есть двух типов:

1. Самостоятельная регистрация. После неё посетитель может видеть всю номенклатуру и краткие описания продукции, а также скачивать документы на изделия категории ОТК без ограничений. Просим указывать реальные контактные данные. При выявлении фейковой регистрация доступ будет аннулирован.

2. Верифицированная регистрация. Для получения доступа к подробной документации по изделиям категории ВП и ОСМ необходимо на адрес: webreg@angstrem.ru дополнительно направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия за подписью руководителя о предоставлении доступа к сайту с указанием:

  • ФИО ответственного лица,
  • Его должность
  • Его общий служебный телефон и прямой (личный) телефон
  • Адрес электронной почты.

В течение трёх рабочих дней Вам на указанную электронную почту будет направлен логин и пароль.

Благодарим за Ваше понимание!

EN
Логин
Пароль
Зарегистрироваться

После регистрации на сайте Вам будет доступно отслеживание состояния заказов, личный кабинет и другие новые возможности.

Регистрация есть двух типов:

1. Самостоятельная регистрация. После неё посетитель может видеть всю номенклатуру и краткие описания продукции, а также скачивать документы на изделия категории ОТК без ограничений. Просим указывать реальные контактные данные. При выявлении фейковой регистрация доступ будет аннулирован.

2. Верифицированная регистрация. Для получения доступа к подробной документации по изделиям категории ВП и ОСМ необходимо на адрес: webreg@angstrem.ru дополнительно направить официальный запрос на бланке Вашего предприятия за подписью руководителя о предоставлении доступа к сайту с указанием:

  • ФИО ответственного лица,
  • Его должность
  • Его общий служебный телефон и прямой (личный) телефон
  • Адрес электронной почты.

В течение трёх рабочих дней Вам на указанную электронную почту будет направлен логин и пароль.

Благодарим за Ваше понимание!

«Ангстрем» принял участие в форуме «Микроэлектроника 2023»

1 ноября 2023
АО «Ангстрем» принял участие в российском форуме «Микроэлектроника 2023», который прошел 9-14 октября в Парке науки и искусства «Сириус». Новые разработки и доклады «Ангстрема» были представлены в нескольких секциях и круглых столах. В работе форума в пленарном заседании приняли участие генеральный директор Воронцов С.В. и первый заместитель генерального директора Плис Н.И.

Темы докладов:

«Особенности технологии прецизионных радиационно-стойких микросхем операционных усилителей с малыми входными токами». Докладчик: начальник отдела аналого-цифровых и специальных технологий Трудновская Евгения Андреевна.
«Полузаказные БИС на основе радиационно-стойких БМК. Импортозамещение ПЛИС в БМК».
Докладчик: ведущий специалист по продажам Сергеева Наталья Николаевна.
«Разработка микросхем An4140 и An4259 и технологии изготовления СВЧ КМОП ИС на структурах
ультратонкого кремния на сапфире». Докладчик: начальник службы инновационных технологий Романов Александр Аркадьевич.
«Исследование влияния режимов термического окисления на форму и размеры острия кремниевых игл кантилеверов». Докладчик: руководитель лаборатории осаждения Новак Андрей Викторович.


Рассмотрены особенности конструкции и технологии изготовления прецизионных операционных усилителей с малыми входными токами. Показана возможность повышения радиационной стойкости ОУ переходом от технологии с нестойкими латеральными PNP транзисторами к более сложному комплементарному биполярному процессу с вертикальными NPN и PNP транзисторами (серия 1494). Дополнение технологии радиационно-стойких микросхем ОУ опцией формирование JFET транзисторов и тонкопленочных резисторов (ТПР) для разработки микросхем ОУ серии 1496 с малыми входными токами не более 45 пА, работающих в расширенном диапозоне питающих напряжений.

Разработаны микросхемы An4140 и An4259 и технология изготовления СВЧ КМОП ИС на структурах ультратонкого кремния на сапфире. Характеристики микросхем An4140 и An4259 полностью идентичны характеристикам их зарубежных аналогов, - СВЧ микросхем РЕ4140 и РЕ4259 фирмы Murata, pSemi (Peregrine Semiconductor, USA). Данная технология позволяет соединить производство СВЧ ИС с технологическим процессом, близким к стандартному КМОП процессу на кремнии и избежать в некоторых случаях использования дорогостоящих эпитаксиальных структур на основе арсенида галлия. Развитие этого направления позволит АО «Ангстрем» выйти на новый сегмент рынка, - разработку и производство микросхем СВЧ диапазона.